格隆汇10月30日｜据快科技，湖南泰坦未来科技有限公司宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，导热率超过280W/（mK），在封装结构内作为导热基底使用，瞄准AI芯片与先进封装的散热瓶颈。据介绍，该产品由该公司团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，并攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。 在关键性能上，该衬底沉积速度达每小时60微米，明显高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。该产品目前已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。