存储股盘后继续跳水，西部数据跌超8%，此前财报公布后一度涨超4%，希捷科技跌超4%，闪迪跌近3%，美光、SK海力士跌超1%

美光：季度奖金将在年度薪酬外额外发放

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美光称暂不采用4F²存储技术 将继续推进3D DRAM

美光暂不采用4F²技术，继续推进3D DRAM

美股存储板块走弱，美光科技、海力士涨幅收窄至不足2%

美股存储芯片股盘前上扬，SK海力士涨超4%，美光科技、闪迪涨近3%

据IT之家，戴尔董事长兼首席执行官认为，内存短缺的局面远未结束。他表示，随着人工智能数据中心持续消耗动态随机存取存储器（DRAM）与高带宽内存（HBM）的供货量，明年供应形势还会进一步恶化。制约交付的正是内存：AI 加速芯片需要大量高带宽内存，而配套服务器仍依赖传统动态随机存取存储器。供应缓解看起来遥遥无期。新建内存工厂大约需要四年建设周期，因此戴尔预计要到2029或2030年才会出现显著新增产能。这和美光首席执行官的观点一致，后者近期表示2027、2028年的供应紧张程度将远超今年。

AI交易概念盘后齐涨，戴尔科技涨超5%，CoreWeave、NEBIUS涨3%，美光、英伟达、SK海力士、英特尔、闪迪涨超1%

美光科技携手铟泰公司投资纽约关键矿产加工

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