韩媒：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片

【韩媒：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片】金色财经报道，10月18日，据《首尔经济日报》周日报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。该报援引业界消息人士的话称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。据该公司称，今年8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。据《首尔经济日