三星将与台积电共同生产英伟达下一代定制 HBM，基底芯片采用 3nm 工艺

据《首尔经济》报道，三星电子在开发英伟达下一代定制高带宽内存 NVHBM 时，将采用台积电 3nm 工艺生产核心组件 Base Die。英伟达同时要求三星、SK 海力士和美光统一采用台积电 3nm Base Die，并将 Core Die 统一为第六代 DRAM 1c 工艺，以提升不同供应商产品的一致性。