马斯克：中国将在2028年大规模量产内存（RAM）

中国RAM产量或缩短韩国多元化窗口

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马斯克警告：中国2028年将大量生产RAM 韩国忧2029年内存过剩

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大和发表研报指，长鑫科技计划今年推出采用新一代4F2 DRAM结构的DDR5 RDIMM模块后，全球存储器股股价急挫，市场忧虑中国企业收窄了高端服务器DRAM及新一代技术上的竞争差距。不过，该行认为市场反应过度，并视近期股价回调为买入机会。该行维持对行业及全球存储器厂商的正面看法，认为基本面仍然稳健，预期人工智能数据中心需求带动的强劲盈利动能及提升股东回报，将是主要的股价催化剂。

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高盛12日发布研报指出，随着AI推理需求快速增长，存储容量不足正成为制约算力效率的重要瓶颈。高带宽闪存（HBF）等新型NAND技术有望缓解这一“内存墙”问题，并显著降低AI基础设施成本。该行预计，在GPU采用率达到15%至50%的情况下，HBF潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。高盛看好闪迪和SK海力士的HBF技术领先优势，维持两家公司“买入”评级；三星电子同样有望受益。相比之下，美光因业务重心偏向DRAM和HBM，直接受益程度较低，维持“中性”评级。

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