有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM，核心裸片则采用第六代DRAM技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性，10月19日，三星电子向记者回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。若采用台积电基底裸片，意味着内存厂商为英伟达供应NVHBM产品时不能完全一体化地设计和生产。但这还不能简单理解为内存厂商将核心环节交给台积电，更大的趋势是，定制化HBM业态产生了新的供应关系。有存储行业人士向记者表示，英伟达的要求是在HBM定制的背景